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SPB80P06P G /
SPB80P06P G的规格信息
SPB80P06P G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5033pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：340W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 64A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TO263-3

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 5.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：173nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：P-Channel

Id-连续漏极电流：80A

Rds On-漏源导通电阻：23mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：-10V

Qg-栅极电荷：115nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：340W

通道模式：Enhancement

商标名：SIPMOS

封装：CutTape

高度：4.4mm

长度：10mm

系列：SPB80P06

晶体管类型：1P-Channel

宽度：9.25mm

正向跨导 - 最小值：18S

下降时间：30ns

上升时间：18ns

典型关闭延迟时间：56ns

典型接通延迟时间：24ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SPB80P06P G
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深圳市威雅利发展有限公司SPB80P06P G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SPB80P06P G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SPB80P06P Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
集好芯城SPB80P06P G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SPB80P06P G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SPB80P06P G航都大厦10I0755-23990975
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19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
集好芯城SPB80P06P G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
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深圳市安富世纪电子有限公司SPB80P06P G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SPB80P06P G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市博浩通科技有限公司SPB80P06P G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
苏州芯华胜半导体科技有限公司SPB80P06P G江苏省苏州市虎丘区高新浒关工业园汇融广场20楼4006515758
15366223933		向翱Email:289642826@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SPB80P06P G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SPB80P06P G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司SPB80P06P G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司SPB80P06P G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077		刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SPB80P06P G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SPB80P06P G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SPB80P06P G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
SPB80P06P G及相关型号的PDF资料
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SPB80P06P GMOSFET P-Ch -60V 80A D2PAK-2Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO548.77 Kbytes共11页SPB80P06P G的PDF下载地址无
SPB80P06P G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 5.5mA 漏源导通电阻：23mΩ @ 64A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：340W(Tc) 类型：P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO607.95 Kbytes共11页SPB80P06P G的PDF下载地址无
SPB80P06P G的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SPB80P06P GInfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 60V 80A1000+:￥12.26
2000+:￥11.65
5000+:￥11.21
10000+:￥10.8601
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100+:￥14.25
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SPB80P06P GInfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 60V 80A1000+:￥12.26
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SPB80P06P GInfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 60V 80A1000+:￥12.26
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10000+:￥10.8601
25000+:￥10.51
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SPB80P06P GInfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 60V 80A1000+:￥12.26
2000+:￥11.65
5000+:￥11.21
10000+:￥10.8601
25000+:￥10.511+:￥19.55
10+:￥15.65
100+:￥14.25
250+:￥13
500+:￥13
1000+:￥12.41
2000+:￥11.94
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SPB80P06P GInfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 60V 80A1000+:￥12.26
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2000+:￥11.94
5000+:￥11.5201
10000+:￥11.41
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SPB80P06P GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 80A D2PAK-21:¥25.3572
10:¥21.5943
100:¥18.6676
250:¥17.7523
1,000:¥13.447
2,000:查看
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SPB80P06P GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 5.5mA 漏源导通电阻：23mΩ @ 64A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：340W(Tc) 类型：P沟道1+:￥29.27
200+:￥11.33
500+:￥10.93
1000+:￥10.74
SPB80P06P G的相关型号
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